Уолтер Браттейн

Уолтер Хаузер Браттейн вместе с Уильямом Шокли и Джоном Бардином стали лауреатами Нобелевской премии по физике за возможно одно из величайших открытий в области современной электроники – создание транзистора и открытие транзисторного эффекта.

Родился будущий изобретатель и ученый 10 февраля 1902 года в японском городе Амой. Правда родители почти сразу же переехали в США, штат Вашингтон, где он и вырос.

В 1924 году Уотер Браттейн окончил Уитменский колледж, получив степень бакалавра. И сразу же поступил в Орегонский университет, получив там через два года в 1926 степень магистра. Еще через три года юный ученый защищает диссертацию в Университете Миннесоты.

Сразу же после защиты диссертации уже сформировавшегося ученого приглашают на работу в научно-исследовательскую лабораторию Bell Labs в группу по изучению и созданию новых полупроводниковых элементов.

Там Браттейн изучал электрические свойства поверхностей твердых тел, в том числе и полупроводников. Он внес ощутимый вклад в развитие той области электроники, которая в послевоенное время только зарождалась. Не без преувеличения будет сказано, что именно Уильям Браттейн вместе со своими коллегами из Bell Labs заложил основы создания и последующего использования полупроводниковых элементов: транзисторов, диодов, тиристоров и др., созданных на основе популярных сейчас кремния и германия.

16 декабря 1947 года именно Уильям Браттейн собрал первый рабочий прототип точечного транзистора (в приборе использовался точечный контакт острой золотой проволоки с полупроводниковым переходом), который спустя неделю был продемонстрирован руководству Bell Labs.

В 1956 году Уильям Браттейн вместе с Джоном Бардином и Уильямом Шокли был удостоен величайшей награды, присуждаемой научным деятелям – Нобелевской премии по физике. Она была вручена ему как одному из создателей первого в мире полупроводникового транзистора, а также за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта.

Умер Уильям Браттейн 13 октября 1987 года в возрасте 85 лет.