Новые нанотехнологии в производстве транзисторов

Ученые из Техасского университета Далласа построили высокоэффективные полевые транзисторы, используя кремниевые нанопровода диаметром 3-5 нанометров. Наноматериал для изготовления новых приборов ученые-физики получили при помощи литографии. В результате получились полупроводниковые приборы с высокой подвижностью дырок, достаточно большой плотностью тока и низким током утечки.

Применение именно нанопроводов, а не объемного полупроводника для изготовления транзисторов, обусловлено рядом причин, обусловленных квантово-размерным эффектом. Поскольку спектр энергии дырок в тонком нанопроводнике значительно уже, чем в объемном материале, то меньше энергии уходит на рассеиваемую мощность. То есть значительно уменьшается эффект рассеивания носителей заряда. А это значительно увеличивает подвижность этих самых зарядов и плотность тока.

Ученые-физики уверены, что разработанные ими новые нанотехнологии в производстве транзисторов дадут толчок не только в разработке новых более мощных и эффективных микросхем, но и в производстве более совершенных и высокочувствительных биосенсоров для исследования белковых молекул.