Одноатомные транзисторы на основе селицена

В 2010 году был открыт и воспроизведен новый полупроводник – селицен. Уникальность этого материала в том, что он представляет собой одноатомную структуру, в основе которой находится кремний. Тогда это открытие сулило большой скачек в области увеличения быстродействия интегральных схем. Теперь же ученые из Университета штата Техас в Остине воплотили это открытие в новом электронном компоненте.

Инженер Деджи Акинванд вместе с командой единомышленников разработал метод изготовления полупроводниковых элементов, которые содержат селицен, зажатый между очень тонким слоем серебра и алюминиевой пластиной, толщиною в несколько нанометров. Такая структура, если подвести к ней электроды из какого-нибудь проводника, может исполнять роль одноатомного транзистора.

Сам селицен, начиная с 2010 года, «заслужил» репутацию довольно капризного материала. По сравнению с его более податливым аналогом – графеном – селицен представляет собой очень сложный в обработке и к тому же очень нестабильный материал. Чтобы его использовать на практике исследователям из Университета штата Техас пришлось изрядно потрудиться, проведя бесчисленное количество экспериментов.

В результате их работы оказалось, что практически идеальным в этом случае методом создания полупроводниковых элементов является использование многослойной структуры, содержащей сам селицен, а также серебро и алюминий. В качестве последнего компонента можно также использовать оксид алюминия.

На данном этапе разработки новые одноатомные транзисторы, конечно же, нельзя использовать на практике. Они все равно являются достаточно нестабильными структурами. Но все же Деджи Акинвад и его команда уверены, что в скором времени смогут усовершенствовать свою технологию и предложить производителям электроники использовать ее в серийном производстве.

Источник информации: Университет штата Техас (www.utexas.edu)