Трехмерный транзистор

Ученые и инженеры компании Intel возможно решили проблему ограничения плотности элементов микросхемы из-за паразитного тока утечки, вызывающего сбои в работе схем. Микросхемы, созданные по новой технологии, смогут работать почти на 40% быстрее и при этом быть плотнее упакованными.

Суть новой разработки в создании так называемого трехмерного транзистора. Чтобы затвор транзистора надежно управлял полупроводниковым каналом, необходимо чтобы он был достаточной площади. При повышении плотности деталей в чипе или микросхеме, размер деталей уменьшается. Следовательно, уменьшается и площадь затвора транзистора. То есть при определенной критической плотности элементов нормальная работа транзисторов становиться затруднительной. Ученые из Intel решили эту проблему, придав полупроводниковому каналу объемную форму.

Полупроводниковый канал в трехмерном транзисторе выполнен не в виде плоской площадки, которая только одной стороной контактирует с затвором, а в виде прямоугольного гребня. Затвор теперь контактирует с каналом уже в трех плоскостях, что повышает эффективность управления и дает возможность большего уплотнения элементов.

Кстати данная технология была открыта еще в 1999 году учеными Калифорнийского университета в Беркли. Ученые Intel лишь усовершенствовали разработку своих коллег и практически довели ее до массового производства. Новые трехмерные транзисторы уже были испытаны в экспериментальных схемах. Уже в этом году планируется начать производство новых чипов  на основе данных транзисторов.