Наноэлектроника

Ученые и инженеры компании Intel возможно решили проблему ограничения плотности элементов микросхемы из-за паразитного тока утечки, вызывающего сбои в работе схем. Микросхемы, созданные по новой технологии, смогут работать почти на 40% быстрее и при этом быть плотнее упакованными.

Более точный метод производства новых электронных компонентов позволит еще более миниатюризировать электронные схемы. Ведущий в мире производитель технологического оборудования для производства микрочипов Applied Materials на научной конференции «Semicon West» в Сан-Франциско заявил о возможности создавать слои транзисторов толщиной в один атом, что обеспечивает беспрецедентную точность производства интегральных схем нового поколения.

Южнокорейские исследователи из Национального института науки и техники  изготовили анод для аккумуляторной батареи из нанотрубок германия. Он позволяет накапливать в три раза больше заряда, чем существующие аноды в Li-ion батареях.

Инженеры Калифорнийского университета в Беркли сделали открытие, которое позволит уменьшить минимально необходимое напряжение для хранения заряда в конденсаторе, а следовательно снизить энергопотребление и тепловыделение электронных схем.

Исследователи Швейцарского федерального технологического института в Лозанне нашли материал, который сможет стать альтернативой популярному сейчас графену – молибденит (MoS₂). На его основе можно будет создавать электронные компоненты значительно меньшего размера, работающие на более высоких частотах электрического сигнала.

Физики из Университета Южного Уэльса создали действующий транзистор, состоящий всего из одного атома, и разместили его на кристалле кремния. Электронное устройство – одноатомный транзистор – использует в качестве активного компонента атом фосфора. Как утверждают разработчики, их новинка станет первым кирпичиком в построении квантового компьютера с беспрецедентной вычислительной эффективностью.

Команда исследователей из Технологического института Джорджии в Атланте и университета Xiamen города Сямынь в Китае разработали новый способ получения диоксида титана (TiO₂) для производства углеродных волокон, применяемых в элементах солнечных батарей.

Последнее время новый материал графен стал самым изучаемым с целью дальнейшего применения его в области электроники. Исследователи Стэндфордского университета открыли еще одно полезное свойство этого перспективного материала. Ими был обнаружен пьезоэлектрический эффект – возникновение электрического поля при деформации образца материала. Причем возникающее в графене электрическое поле прямо пропорционально степени его деформации.

Компания-производитель жестких дисков Seagate недавно продемонстрировала возможности нового метода записи данных на магнитный носитель. Благодаря ему, по заверению представителей компании, можно будет достичь величины плотности хранимой информации в 1 Тбит (1 триллион бит) на квадратный дюйм поверхности носителя. Таким образом, можно будет производить жесткие диски емкостью в 60 Тбит.

Калифорнийские ученые сделали открытие, которое в перспективе даст возможность использовать в электронике тонкопленочные органические проводники. Они определили механизм переноса электрического заряда от молекулы к молекуле в органическом веществе. Кроме этого, по мнению ученых, чтобы значительно  улучшить электрическую проводимость органических веществ нужно лишь определенным образом перестроить их структуру.